TVS二极管中反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况：
第一种是在高掺杂的情况下，因耗尽层宽度很小，不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场，而直接破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚，产生电子—空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。也称为隧道击穿。齐纳击穿是暂时性的可以恢复。
第二种是在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下，使获得的能量增大。在晶体中运行的电子和空穴将不断的与晶体原子发生碰撞，通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子—空穴对。新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，又产生新的自由电子和空穴对。新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，又产生新的自由电子和空穴对。如此连锁反应，使得阻挡层中的载流子的数量雪崩式地增加，流过PN结的电流就急剧增大击穿PN结，这种碰撞电离导致击穿称为雪崩击穿，也称为电子雪崩现象。
南京卡斯电子有限公司有着丰富的行业经验。一路坚持以质量取胜，以“服务赢信赖”的经营理念致力于为客户提供进口品质的电子元器件，提供全方位技术支持。各品类均有现货，当天可发货，与物流合作，支持免费送货上门，欢迎大家来电咨询选购！
