MOSFET（半导体场效应晶体管）一般是金属（metal）-氧化物（oxide）-半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属一绝缘体（insulator）-半导体。MOS管的source源极）和drain耗尽层）是可以对调的，他们都是在P型backgate形成的N型区。在多数情况下，这两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的期间被认为是对称的。场效应管又分为PMOS管和NMOS管，都属于绝缘栅场效应管。
小编以JMTV3010A为例，它的封装外形是DFN2X2-6L，Vds是30V，ID是20A，Vth typ是1.5V，VGS是±20V，RDS (on)typ @10V是7.5mΩ，RDS (on)max @10V是10mΩ，RDS (on)typ @4.5V是11.5mΩ，RDS (on)max @4.5V是17mΩ，MPQ是3000PCS，MOQ是30000PCS。
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