MOS管全称Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体，就是以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
功率场效应晶体管分为结型和绝缘栅型,通常主要指绝缘栅型中的MOS型,简称功率mos，它具有功耗低、噪声小、动态范围大、输入电阻高（107～1015Ω）、易于集成、没有二次击穿现象等优点 。
以JMTM8205A为例，它的一些数据是：Vds=20V，ID=5A，RDS (on)typ @4.5V=18mΩ，RDS (on)max @4.5V=26mΩ，RDS (on)typ @2.5V=23mΩ，RDS (on)max @2.5V=34mΩ。
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