MOS管是什么？
MOS管是一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管，或称为金属-绝缘体-半导体。MOS管的source和drain可以对调，它们都是在P型backgate中形成的N型区域。在大多数情况下，这两个区域是相同的，即使两端对调也不会影响设备的性能。这种设备被认为是对称的。
双极晶体管放大输入端电流的微小变化后，在输出端输出较大的电流变化。双极晶体管的增益被定义为输出输入电流的比例(beta)。另一种晶体管，称为场效应管(FET)，将输入电压的变化转化为输出电流的变化。Fet的增益等于输出电流的变化和输入电压的变化之比。市场上常见的是N通道和P通道。详情请参考右边的图片(N通道耗尽的MOS管)。P通道常用作低压MOS管。
现场效应管通过在绝缘层上投射一个电场来影响流过晶体管的电流。事实上，没有电流流过这种绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最常见的FET使用薄层二氧化硅作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。由于MOS管更小，更省电，它们在许多应用中已经取代了双极晶体管。
MOS管三极分别是什么？
MOS管的三个极分别是:G(栅极)和D(漏极)s(源和)，要求栅极和源之间的电压大于特定值，漏极和源和源可以导通。
1.判断栅极G。
MOS驱动器主要起到波形整形和强化驱动的作用:如果MOS管的G信号波形不够陡峭，在评论切换阶段会造成大量的电能损耗。其副作用是降低电路转换效率。MOS管发烧严重，容易热损伤。如果G信号驱动能力不够，会严重影响波形跳变的时间。
如果G-S极短，选择万用表的R×1档，黑色表笔连接S极，红色表笔连接D极，电阻值应该是几欧到十欧。如果发现一只脚的电阻和两只脚的字符是无限的，交换表笔后仍然是无限的，则确认这只脚是G极，因为它与另外两只脚绝缘。
2.判断源极S、漏极D。
将万用表拨到R×1K，分别测量三个管脚之间的电阻。用交换表笔测量电阻两次，其中电阻值较低(一般为几千欧到几千欧)的电阻一次为正电阻。这时，黑色的表笔是S极，红色的表笔连接到D极。由于测试前提不同，测得的RDS值高于手册中给出的典型值。
3.测量泄漏-源通态电阻RDS(on)
在源-泄漏之间有一个PN结，所以S极和D极可以根据PN结正和反向电阻的差异来识别。比如用500型万用表R×1档测量一个IRFPC50VMOS管，RDS(on)=3.2W，大于0.58W(典型值)。
测试目的：MOS管检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。
其步骤如下：
如果有电阻值没有被测试MOS管有漏电现象。
1.移除连接栅极和源极的电阻，万用表的红笔和黑笔保持不变。如果电阻移开后，表针逐渐回到高电阻或无限，则MOS管泄漏，不变则完好无损。
2、然后用一根导线将MOS管的栅极与源极连接起来，如果指针立即返回无限大，那么MOS就完好无损。
3、将红笔连接到MOS源极S，黑笔连接到MOS管漏极，好的表针指示应无限。
4.将一个100kω-200kω的电阻连接到栅极和泄漏极上，然后将红笔连接到MOS的源S上，将黑色笔连接到MOS管的泄漏极上。此时，表针指示的值一般为0。此时，电荷通过该电阻向MOS管的栅极充电，产生栅极电场。由于电场导致导电通道，导致漏电极和源电极，因此万用表指针偏转，偏转角度大，放电越好。
MOS管的结构原理图
1、结构和符号(以N通道增强型为例)
在低浓度的P型硅上扩散两个高浓度的N型区域作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层，并以电极作为栅极。
其它MOS管符号。
2.工作原理(以N通道增强型为例)
(1)VGS=0，不管VDS的极性如何，总有一个PN结反偏，所以没有导电通道。
VGS=0,ID=0。
在工作之前，VGS必须大于0。
(2)当VGS大于0时，在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场，排斥P区的多子空穴，吸引少子电子。当VGS达到一定值时，P区表面会形成反向层，通过两侧的N区进行通信，形成导电通道。
VGS大于0→G吸引电子→反型层→导电通道。
VGS↑→反型层增厚→VDS↑→ID↑。
(3)VGS≥VT但VDS小时:
VD↑→ID↑。
VT：在VDS中开启电压。
开始导电时使用VGS°。
VT=VGS-VDS。
(4)VGS大于0且增大到一定值后，接近漏极的通道被夹断，形成夹断区。
VDS↑→ID不变。
MOS管的优势
1.可用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗非常高，所以耦合电容可以容量小，不需要使用电解电容器。
2.高输入阻抗非常适合阻抗转换。常见于多级放大器的输入级作为阻抗转换。
3.可用作可变电阻。
4.可方便地用作恒流源。
5.可用作电子开关。
6.在电路设计中具有很大的灵活性。栅偏压可以是正、负、零，三极管只能在正偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作。此外，高输入阻抗可以降低信号源的负载，并且很容易与前一级匹配。
MOS管(场效应管)的应用领域
1:工业领域，步进电机驱动，电钻工具，工业开关电源。
2:新能源领域，光伏逆变器，充电桩，无人机。
3:运输领域，车载逆变器，汽车HID安定器，电动自行车。
4:绿色照明领域，CCFL节能灯，LED照明电源，金卤灯镇流器。
MOS管降压电路
图中Q27为N通道MOS管，U2A1脚输出高电平时Q27导通，降低VCC-DDR内存电压，获得1.2V-HT总线电源，U2A1脚输出低电平时Q27截止，1.2V_HT总线电压为0V。
