2022 年 7 月，捷捷微电 特此专题推出新一代 100V P 沟道 SGT MOSFET，比起上一代设计，FOM 性能改善 20%，实现国际领先。先进PDFN3x3-8L 及 PDFN5x6-8L 薄型封装，比传统SOP-8L 及DPAK封装，面积缩小 64% 及 48%，高度降低45% 及55%，极为适合紧凑型终端设计。同时，PDFN5x6-8L 的引脚具低应力且长达 0.275mm，极大程度地改善自动光学检测(AOI)印刷电路板组装(PCBA)的焊点良率，进一步保证终端的稳定工作和长期可靠性。
100V P 沟道 MOSFET 的驱动电路相比 N 沟道 MOSFET 更加简单，满足超性能运算(HPC)、工业5.0(IE)、车载电子(Autonomous Driving Svstem.ADS)后装市场的「高端负载、防反接电路、电池反向保护、B/BLDC 电机驱动、DC-DC 降压转换的高边开关」等应用对系统长期稳定运作、陝窄应用空间、及减少电路关键故障点的不断需求。
新一代P沟道JPEET ® 性能达国际领先水平，主要电气参数如RDS(ON)_Typ和 FOM均优于国际一线半导体IDM 同类产品。其中JMPL1050AU 采用薄小型 PDFN3x3-8L封装，在VGs=10V的条件下，器件的RDS(ON)_Typ及FOM测量值分别低达 38mΩ/760，均为国际领先水平。此外，一流的线性模式/安全工作区(SOA)特性，使器件在大电流的工作状态下，仍能实现安全可靠的运作。极低的导通电阻有助干提高运行效能，降低系统成本，并延长器件的使用寿命。
捷捷微电 功率 MOSFET 市场总监 樊君:「新一代的P沟道JPFET 系列，提供插件式和新型贴片式两类高质量封装，完美满足客户在 40~72V 等工作电压的应用。在占空比少于 30% 的 DC-DC 降压转换中，JMPL1050AU 应该是当下业界在高电能转换效率、简单驱动电路、PCBA、长期安全可靠性各方面考量下，最好的选择之一。捷捷微电将持续开发多个耐压范围、性能优越的P 沟道 SGT MOSFETs，以满足新能源、超性能运算和车载电子等终端对功率器件的需求。」
目前新一代P沟道 JPEET 已规模量产，样品可申请。产品规格书，辅助系统电路设计的资料如 POD (package outline drawing)、仿真模型 H-Spice 及P-Spice等具体信息，均可联系我司查询。
