昨天有客户询问：之前制作了一台脉冲式充磁机，储能电容1200UF，放电电压1250V,可控硅使用的是1500A2200V，在使用过程中，大概充放电几万次后可控硅就击穿了，更换可控硅后使用几万次后又击穿，不知道怎么回事？
小编咨询了技术工程师后，得到了以下几点原因，仅供大家参考：
- 运行时可控硅击穿
- 可控硅冷却水路不通或水流量小，可控硅发热使关断时间增大而不能关断，造成逆变颠覆。检查水路。
- 电流互感器连接线松动，使交角法逆变脉冲形成电路的合成信号时有相位变化，时有提前触发现象，造成逆变换流失败。
- 主回路连接件接触不良，比如水电缆断裂．造成大电流工况下突然断开回路，使平波电抗器产生很高的自感电势，使逆变和整流可控硅击穿。
- 更换可控硅后开机烧毁
- 设备出故障烧毁可控硅在更换新可控硅后不要马上开机，首先应对设备进行系统检查排除故障，在确认设备无故障的情况下再开机，否则就会出现一开机就烧毁可控硅的现象。
- 在压装新可控硅时一定要注意压力均衡，中频炉烧硅原因主要在于可控硅内部芯片机械损伤，从而使得可控硅的耐压值大幅下降，出现一开机就烧毁可控硅的现象。
- 工作后烧毁可控硅
- 控制部分的电气元器件热特性不好。
- 可控硅与散热器安装错位。
- 散热器经多次使用或压装过小台面可控硅造成散热器台面中心下凹，导致散热器台面与可控硅台面接触不良而烧毁可控硅。
- 散热器水腔内水垢太厚、导热不好造成元件过热烧掉。
- 快速可控硅因散热不好温度升高，同时可控硅的关断时间随着温度地升高而增大，终导致元件不能关断，造成逆变颠覆烧掉可控硅。
- 可控硅工作温度过高，门极参数降低，抗干扰能力下降，易产生误触发损坏可控硅和设备。
- 检查阻容吸收电路是否完好。
- 更换新可控硅后仍烧坏
- 设备出现故障后烧掉可控硅，换上新可控硅后经静态检测设备一切正常，但仍不能正常稳定工作易烧可控硅。这时要特别注意脉冲变压器、电源变压器、中频变压器、中频隔离变压器是否出现初级线圈与次级线圈之间、线圈与铁心之间、匝与匝之间是否绝缘不好。
可控硅损毁实物图
