众所周知，MOS场效应管属于电压驱动型，但是可以看到很多mos的规格书里，强调的是G级的驱动电流，那么它到底和电流有什么关系呢？
TO-252封装图
首先我们要知道，由于生产工艺和结构的关系，MOSFET的GS间和GD之间都存在着一个寄生电容，在驱动MOS管导通的过程中，需要给GS间的寄生电容充电，在GS电容充电到一定程度后需要给GD之间的电容充电，即米勒平台过程。
MOS寄生电容示意图
当MOSFET开通时，此电容会放电，从驱动端索取电流，才能使栅极电压升高，这个电容会影响驱动时栅极电压的上升率，同时在DS间存在miller电容，当MOSFET开通时，此电容会放电，从驱动端索取电流，从而使栅极电压上升率降低。如果驱动电流不够，导致MOS管从关断到导通的过渡状态时间太长，会加大MOS管的损耗。关断时，如果驱动电流不够，导致栅极电压下降速度慢，也会加大MOS的损耗。而且开通时间过长也有可能影响后级电路运行和整体电路逻辑。
这就是MOS管为什么属于电压驱动型但是大多数情况下规格书里都是写的G级驱动电流的原因了。
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